电源设计讲座MOSFET器件性能

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MOSFET 器件性能

参数名称

IR 第三代

IRFP460

MTW20N50E

(TYP)

IR 新一代

IRFP460LC

FQL

40N50

2SK

2370

FQA24N50F

(TYP)

(V)

漏—源击穿

电压

500 500 500 500 500 500

(V)

栅源门限电压 2.0~3.0 3.0~5.0 2.5~3.5

(A)

通态漏极电流 20 20 40 20

24(25 )

(

)

通态电阻 0.27 0.2 0.27 0.085 0.32 0.156

(mJ)

重复雪崩能量 28 28 1780 285 1100

(pF)

输入电容 4200 3880 3600 5800 2400 3500

(pF)

输出电容 870 452 440 880 500 520

(pF)

反向传输电容 350 96 39 95 45 55

(nC)

总栅电荷 210 100 120 155 65 90

(nC)

栅--源电荷 29 44 32 37 15 23

(nC)

栅--漏Miller

电荷

110 49 78 30 52

(ns)

导通延迟时间 18 29 18 140 35 80

(ns)

上升时间 59 90 77 440 60 250

(ns)

关断延迟时间 110 97 40 350 105 200

(ns)

下降时间 58 84 43 250 65 155

(V) 体二极管

正向压降 1.8 0.916 1.8 1.4 1.0 1.4

(ns) 体二极管

反向恢复时间 570 431 570 520 500 250

选用 MOSFET 的3个原则

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摘要：

MOSFET器件性能参数名称IR第三代IRFP460MTW20N50E(TYP)IR新一代IRFP460LCFQL40N502SK2370FQA24N50F(TYP)(V)漏—源击穿电压500500500500500500(V)栅源门限电压2.0~3.03.0~5.02.5~3.5(A)通态漏极电流2020402024(25)()通态电阻0.270.20.270.0850.320.156(mJ)重复雪崩能量282817802851100(pF)输入电容420038803600580024003500(pF)输出电容870452440880500520(pF)反向传输电容350963995455...

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