武汉理工大学2006年研究生入学考试试题

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武汉理工大学 2006 年研究生入学考试试题

课程材料科学基础

（共 3页，共十题，答题时不必抄题，标明题目序号，相图不必重画,直接做在试卷上）

一、填空题（1.5×20=30 分）

1. 结晶学晶胞是（）。

2. 扩散的基本推动力是（），一般情况下以（）形式表现出来，扩散常伴随着物质的

（）。

3. 晶面族是指（）的一组晶面，同一晶面族中，不同晶面的（）。

4. 向MgO、沸石、TiO2、萤石中，加入同样的外来杂质原子，可以预料形成间隙型固溶体

的固溶度大小的顺序将是（）。

5. 根据烧结时有无液相出现，烧结可分为（），在烧结的中后期，与烧结同时进行的过

程是（）。

6. 依据硅酸盐晶体化学式中（）不同，硅酸盐晶体结构类型主要有（）。

7. 液体表面能和表面张力数值相等、量纲相同，而固体则不同，这种说法是（）的，因

为（）。

8. 二级相变是指（），发生二级相变时，体系的（）发生突变。

9. 驰豫表面是指（），NaCl 单晶的表面属于是（）。

10. 固态反应包括（），化学动力学范围是指（）。

11．从熔体结构角度，估计 a长石、b辉石(MgO·SiO2)、c镁橄榄石三种矿物的高温熔体表

面张力大小顺序（）。

二、 CaTiO3结构中，已知钛离子、钙离子和氧离子半径分别为 0.068nm ，

0.099nm，0.132nm。（15 分）

1. 晶胞中心的钛离子是否会在八面体空隙中“晃动”；

2. 计算 TiCaO3的晶格常数；

3. 钛酸钙晶体是否存在自发极化现象，为什么？

三、在还原气氛中烧结含有 TiO2的陶瓷时，会得到灰黑色的 TiO2-x：（15 分）

1．写出产生 TiO2-x 的反应式；

2．随还原气氛分压的变化，该陶瓷材料的电导率和密度如何变化？

3．从化学的观点解释该陶瓷材料为什么是一种 n型半导体。

四、选择题：下列 2题任选 1题（12 分）

1. 简述金属材料、无机非金属材料以及高分析材料腐蚀的特点。

2. 试述材料疲劳失效的含义及特点。

五、现有三种陶瓷材料，它们的主要使用性能如下：（15 分）

材料最佳性能用途

Y2O3透明，光线传递光学激光杆

Si3N4高温强度，抗蠕变燃气轮机部件

含Co 铁氧体较顽力高能量永久磁铁

在烧结过程中希望材料获得预期的显微结构以使材料最佳性能充分发挥，在控制显微结

构因素和工艺条件上应主要考虑哪些相关因素？

六、熔体结晶时：（1）图示核化速率-温度、晶化速率-温度关系及其对总结晶速率的的影响；

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武汉理工大学2006年研究生入学考试试题课程材料科学基础（共3页，共十题，答题时不必抄题，标明题目序号，相图不必重画,直接做在试卷上）一、填空题（1.5×20=30分）1.结晶学晶胞是（）。2.扩散的基本推动力是（），一般情况下以（）形式表现出来，扩散常伴随着物质的（）。3.晶面族是指（）的一组晶面，同一晶面族中，不同晶面的（）。4.向MgO、沸石、TiO2、萤石中，加入同样的外来杂质原子，可以预料形成间隙型固溶体的固溶度大小的顺序将是（）。5.根据烧结时有无液相出现，烧结可分为（），在烧结的中后期，与烧结同时进行的过程是（）。6.依据硅酸盐晶体化学式中（）不同，硅酸盐晶体结构类型主要有（）。...

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