传感器与自动检测技术演示教程第08章 光电式传感器

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8.1 光电器件
8.2 光纤传感器
8 章 光电式传感器
8.1 光电器件
1. 外光电效应
一束光是由一束以光速运动的粒子流组成的,这些粒子
称为光子。 光子具有能量,每个光子具有的能量由下式确定:
E=hυ 8-1
式中: h—— 普朗克常数 =6.626×10-34(J·s)
υ—— 光的频率( s-1 )。
所以光的波长越短,即频率越高,其光子的能量也
越大; 反之,光的波长越长,其光子的能量也就越小。
在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发
的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫光电子。基于外光
电效应的光电器件有光电管、 光电倍增管等。
光照射物体,可以看成一连串具有一定能量的光子
击物体,物体中电子吸收的入射光子能量超过逸出功 A0时,
子就会逸出物体表面,产生光电子发射, 超过部分的能量
为逸出电子的动能。根据能量守恒定理
0
2
0
2
1Amvhv
8-2
式中: m—— 电子质量;
v0—— 电子逸出速度。
式( 8-2 )为爱因斯坦光电效应方程式 , 由式可知:
光子能量必须超过逸出功 A0,才能产生光电子;入射
光的频谱成分不变,产生的光电子与光强成正比;光电子逸出
物体表面时具有初始动 ,因此对于外光电效应器件, 使
不加初始阳极电压,也会有光电流产生,为使光电流为零
须加负的截止电压。
2
0
2
1mv
2. 内光电效应
在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光
电动势的效应称为内光电效应。内光电效应又可分为以下两类:
1 # 线
吸收了入射光子能量, 若光子能量大于或等于半导体材料
带宽度, 激发出电子 -空穴对,使载流子浓度增加,半导体
的导电性增加,阻值减低,这种现象称为光电导效应。光敏电
阻就是基于这种效应的光电器件。
2 光生伏特效应 在光线的作用下能够使物体产
生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。基于该效应的
光电器件有光电池。
8.1.1 光敏
1. 光敏电阻的结构与工作原理
光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的
光电器件。光敏电阻没有极性, 纯粹是一个电阻器件,使用时
既可加直流电压,也可以加交流电压。无光照时,光敏电阻值
(暗电阻)很大,电路中电流(暗电流)很小。当光敏电阻受
到一定波长范围的光照时,它的阻值(亮电阻)急剧减小,电
路中电流迅速增大。 一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越
好, 此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般
在兆欧量级, 亮电阻值在几千欧以下。
8-1 a为金属封装的
硫化镉光敏电阻的结构图。在玻璃底板上均匀地涂上一层薄薄
的半导体物质,称为光导层。半导体的两端装有金属电极,金
属电极与引出线端相连接,光敏电阻就通过引出线端接入电路。
为了防止周围介质的影响,在半导体光敏层上覆盖了一层漆
使敏感的波长范围内
高灵敏度,光敏电阻的电极一般8-
1b)所。 图 8 - 1 c)为光敏电阻的接线图。
8-1 光敏电阻结构
(a) 光敏电阻结构; (b) 光敏电阻电极; (c) 光敏电阻接线图
½ðÊôµç¼«
°ëµ¼Ìå
²£Á§µ×°å
µçÔ´
¼ìÁ÷¼Æ
R
L
E
I
(a) (b) (c)
R
a
2. 光敏电阻的主要参
光敏电阻的主要参数有:
(1) 暗电阻 光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻,
此时流过的电流称为暗电流。 
(2) 亮电流 光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻,此
时流过的电流称为亮电流。 
(3) 光电流 亮电流与暗电流之称为光电流。
3. 光敏电阻的基特性
(1) 特性 在定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏
电阻两端的电压的关系称为光敏电阻的伏特性。图 8-2 为硫化
线光敏电阻在一定的电
压范围内,其 I-U线为直线。说明其阻值与入射光量有
与电压电流无
2)光照特性 光敏电阻的光照特性是光电流 I
材料的光照特性是不
数光敏电阻光照特性是线性的。图 8-3 为硫化镉光敏电阻的光
照特性。
摘要:

8.1光电器件8.2光纤传感器第8章光电式传感器8.1光电器件1.外光电效应一束光是由一束以光速运动的粒子流组成的,这些粒子称为光子。光子具有能量,每个光子具有的能量由下式确定:E=hυ(8-1)式中:h——普朗克常数=6.626×10-34(J·s)υ——光的频率(s-1)。所以光的波长越短,即频率越高,其光子的能量也越大;反之,光的波长越长,其光子的能量也就越小。在光线作用下,物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫光电子。基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。光照射物体,可以看成一连串具有一定能量的光子轰击物体,物体中电子吸收的入射光子能量超...

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